激光脈沖沉積設備公司擇優推薦 沈陽鵬程真空技術

PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產脈沖激光沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

技術指標：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復真空時間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實現公轉換靶位描等基片加熱可連續回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發源之間距離300-350mm可調。　　

二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描,控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃,

質量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數顯自動熱偶控溫（高溫爐盤，數顯自動熱偶控溫可加熱到800℃）

脈沖激光沉積

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。

在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時，靶表面的一切元素會快速受熱，到達蒸發溫度。【設備主要組成】設備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統、激光束掃描系統、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成。物質會從靶中分離出來，而蒸發出來的物質的成分與靶的化學計量相同。物質的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機制涉及許多復雜的物理現象，例如碰撞、熱，與電子的激發、層離，以及流體力學。

在第二階段，根據氣體動力學定律，發射出來的物質有移向基片的傾向，并出現向前散射峰化現象。空間厚度隨函數cosnθ而變化，而n>>1。Neocera的激光MBE系統可以為用戶提供在壓力達到500mTorr時所需的單分子層控制。激光光斑的面積與等離子的溫度，對沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個因素，支配熔化物質的角度范圍。亦發現，將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質量的關鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對基片造成各種破壞。7×10Pa恢復真空時間：從1×10Pa抽至5×10Pa≤20min系統漏率：6。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區。膜在這個熱能區（碰撞區）形成后立即生成，這個區域正好成為凝結粒子的較佳場所。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積選件介紹

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連續組成擴展(CCS )

常規沉積條件下的組合合成

組合合成是一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續組成擴展(CCS) 方法。PLD-CCS 系統能以連續的方式改變材料，沒有必要使用掩模。正確的設計是成功使用RHEED和PLD的重要因數RHEED通常在高真空（<。可以在每一次循環中，以小于一個單分子層的速率，快速連續沉積每一種組份，其結果是基本等同于共沉積法。該法無需在沉積后進行退火促進內部擴散或結晶，對于生長溫度是關鍵參數的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。

脈沖激光沉積系統特點及優勢：

可根據客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進、出關手續, 交貨期短，性價比高；

沈陽鵬程真空技術有限責任公司擁有先進的技術，我們都以質量為本，信譽高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業務。如果您對脈沖激光沉積感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。