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              發布時間:2020-10-06 17:53  

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              物理l氣相沉積(真空鍍膜)基本方法 :

              從膜層特點看,真空蒸鍍低溫時密度小但表面光滑、氣孔低溫時多、附著性不太好、內應力為拉應力繞射性差;這種鍍膜劑在使用中,j基團會被紫外線分解,附著在上面的硅元素也隨之脫落。濺射密度大、氣孔少但混入濺射氣體較多、附著性較好、內應力為壓應力、繞射性差;離子鍍密度大 ,無氣孔但膜層缺陷較多,附著性很好,內應力視工藝 條件而定,繞射性較好。

              電子束蒸發源的優點為:①電子束轟擊熱源的束流密度高,能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度。可以使高熔點(可高達3000°C以上)材料蒸發,并且能有較高的蒸發速度;②由于被蒸發材料是置于水冷堆鍋內,因而可避免容器材料的蒸發,以及容器材料與蒸鍍材料之間的反應,這對提高鍍膜的純度極為重要;③熱量可直接加到蒸鍍材料的表面,因而熱,熱傳導和熱輻射的損失少。然而,離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,并且這一作用還一直延續于整個鍍膜過程。


              PLD缺點:1、在鍍膜過程中,薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產生的微粒、氣態原子和分子降低質量,采取一定的措施后也

              不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難,因此進一步提高薄膜的質量會比較困難.



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