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發布時間:2021-10-12 09:51  
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縮微技術
數字技術高度發展的時代,縮微技術與數字技術緊密地結合起來—數模影像整合系統,充分發揮縮微技術長于“存”、數字技術長于“用”的特點。也就是說,也就是說通過利用柯達數字存檔機及相應的軟件系統,將數字技術的優點,即數字傳輸的快速性、邏輯性和便利性,同縮微技術的安全可靠性、長久性、真實性和經濟性以及法律效力性結合在一起,共同納入信息資料現代化管理的技術軌道。


不同類別存儲器的基本原理
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。
易失性存儲器分SRAM和DRAM;非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。DRAMDRAM cell結構由1個MOS和1個電容組成,由電容是否帶電荷來區分0和1。不過,由于電容漏電流的原因,DRAM無法長時間保存數據,需要“動態”刷新(刷新周期在亞ms級別)。
NAND FLASH的結構和特性
通過NAND FLASH的結構原理圖,可見每個Bit Line下的基本存儲單元是串聯的,NAND讀取數據的單位是Page,當需要讀取某個Page時,FLASH 控制器就不在這個Page的Word Line施加電壓,而對其他所有Page的Word Line施加電壓(電壓值不能改變Floating Gate中電荷數量),讓這些Page的所有基本存儲單元的D和S導通,而我們要讀取的Page的基本存儲單元的D和S的導通/關斷狀態則取決于Floating Gate是否有電荷,有電荷時,Bit Line讀出‘0’,無電荷Bit Line讀出‘1’,實現了Page數據的讀出,可見NAND無法實現位讀取(即Random Access),程序代碼也就無法在NAND上運行。
DRAM市場發展史
DRAM領域經過幾十年的周期循環,玩家從80年代的40~50家,逐漸減少到了08年金融危機之前的五家,分別是:三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日),五家公司基本控制了DRAM供給,終端產品廠商如金士頓,幾乎沒有DRAM生產能力,都要向它們采購原材料。按照常理來說,格局已經趨穩,價格戰理應偃旗息鼓,可惜的是,韓國人并不答應,尤其是三星。