等離子化學氣相沉積設備廠家價格合理,沈陽鵬程真空技術

化學氣相沉積產品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

化學氣相沉積法簡介

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化學氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質在氣態條件下發生化學反響，生成固態物質堆積在加熱的固態基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。它本質上歸于原子領域的氣態傳質進程。

化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機資料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研發新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜資料。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP射頻單元、RF射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控。現在，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

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等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。被檢測的波長可能會有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點時，反應物所發出的光線強度增加。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。