to金屬封裝外殼廠家量大從優

密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環境的優良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。金屬封裝機殼程序編寫包攬了加工的工藝流程設置、數控刀片挑選，轉速比設置，數控刀片每一次走刀的間距這些。新型的金屬封裝材料及其應用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應對現代封裝的發展。國內外已廣泛生產并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數值較小的物質如Mo、W等復合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

本發明公開了一種金屬封裝外殼，通過將現有技術中的塑料外殼的形狀進行改變，以及對材料進行更換，采用銅作為外殼的材料，同時對外殼內部的引線由圓柱狀結構改進為扁平狀結構，使得外殼的內部空間增加，散熱性能增強，解決了現有技術中封裝外殼散熱性能差的問題。為了減少陶瓷基板上的應力，設計者可以用幾個較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。本發明還提供了一種金屬封裝外殼的制備工藝，改進了現有工藝流程，通過該制備工藝制備的金屬封裝外殼具備更可靠的保護性能。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

一種金屬封裝外殼，包括管座、引線、絕緣子和蓋板，所述管座包括殼體及底板，所 述殼體上設置封接孔，封接孔內設置引線，引線的一端置于殼體外部、另一端置于殼體內 部；引線與封接孔之間設置絕緣子；所述蓋板用于使殼體密封；置于殼體外部的引線端為 柱型結構，置于殼體內部的引線端為扁平結構，且扁平結構的寬度大于封接孔的直徑。金屬封裝多種形式、加工靈便，能夠和一些構件(如混和集成化的A／D或D／A轉化器)結合為一體，合適于低I／O數的單芯片和多芯片的主要用途，也合適于頻射、微波加熱、光學、聲表面波和大電力電子器件，能夠考慮批量生產、銷售電價的規定。