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              發(fā)布時(shí)間:2021-06-03 05:20  

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              對(duì)于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1~0.2電子伏。

              蒸發(fā)源有三種類(lèi)型。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。打開(kāi)出口凡而后,關(guān)緊循環(huán)閥,再關(guān)緊排氣閥,后看加藥槽內(nèi)藥液剩下少許再關(guān)緊加藥閥,完成加藥過(guò)程度使過(guò)濾機(jī)正常過(guò)濾。③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。


              離子鍍:蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面,稱(chēng)為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)如圖4[離子鍍系統(tǒng)示意圖],將基片臺(tái)作為陰極,外殼作陽(yáng)極,充入惰性氣體以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。正離子被基片臺(tái)負(fù)電壓加速打到基片表面。工作前檢查模具固定情況、安全裝置,一切正常后方能試車(chē),慢車(chē)運(yùn)轉(zhuǎn)一周后,再開(kāi)車(chē)空轉(zhuǎn)2-3min,檢查設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)和潤(rùn)滑情況正常以后,方可進(jìn)行工作。未電離的中性原子(約占蒸發(fā)料的95%)也沉積在基片或真空室壁表面。電場(chǎng)對(duì)離化的蒸氣分子的加速作用(離子能量約幾百~幾千電子伏)和亞離子對(duì)基片的濺射清洗作用,使膜層附著強(qiáng)度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的特點(diǎn),并有很好的繞射性,可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。


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