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發布時間:2020-10-19 11:55  
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測量目的:對模塊的電壓降參數進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化,飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此,定期檢測可預防發現功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成,由于個體差異,大電流情況下的參數也會存在個體差異。1V -30V~30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0~50A±3%±0。因此,測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數,進行跟蹤管理,可有效保障機車中間直流環節可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線(單管),Vcesat隨電流變大而增大。

測試參數: ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。對其測試數據極為滿意,解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩定、器件易燒壞、易等問題。

IGBT動態參數測試系統技術要求
1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動態參數測試,以表征器件的動態特性,通過測試夾具的連接,實現模塊的動態參數測試。
2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術文件,設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他必要的技術文件,所有資料必須準備(正本、副本)各一份,電子版一份;西門子PLC邏輯控制15)數據采集與處理單元用于數據采集及數據處理,主要技術參數要求如下:。(正本、副本)技術資料,應至少有一份采用中文,另一份技術資料可以是英文或中文。
