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              發(fā)布時(shí)間:2020-07-30 17:47  

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              鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響

              靶基距:靶基距是影響成膜速率的重要因素之一,隨著靶基距增加,被濺射材料射向基片時(shí)與氣體分子碰撞的次數(shù)增多,同時(shí)等離子體密度也減弱,動(dòng)能減少,沉積速率降低,但膜層外觀較好。靶基距太小,沉積太快,工件溫升大,膜層外觀差。

              靶功率;磁控濺射本身粒子初始動(dòng)能比較小,離化率低,電源功率越大,濺射出的粒子的初始能量越大,靶材濺射量也越大,沉積速率越快,膜層容易上厚度和硬度,同時(shí)工件溫升也大,過(guò)高的功率會(huì)使沉積速率太快,粒子來(lái)不及表面遷移和擴(kuò)散,易形成陰影效應(yīng),膜層會(huì)比較疏松,應(yīng)力較大。電子束蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為:①電子束轟擊熱源的束流密度高,能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度。



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              電子束蒸發(fā)源蒸鍍法

              將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,直接利用電子束加熱,使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面成膜,是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn),特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。


              光學(xué)薄膜應(yīng)用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)已有多年,中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。



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