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              非標(biāo)模塊電源行業(yè)專家在線為您服務(wù) 鑫宇航科技有限公司

              發(fā)布時(shí)間:2020-12-21 08:32  

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              電源模塊常見異常和解決方法

              輸出電壓過低

              電源模塊輸出電壓過低,可能會(huì)導(dǎo)致整體系統(tǒng)不能正常工作,如微控制器系統(tǒng)中,負(fù)載突然增大,會(huì)拉低微控制器供電電壓,容易造成復(fù)位。并且電源長時(shí)間低電壓工作,電路的壽命會(huì)出現(xiàn)極大的折損。

              輸出電壓過低的原因:

              (1)輸入電壓較低或功率不足

              (2)輸出線路過長或過細(xì),造成線損過大

              (3)輸入端的防反接二極管壓降過大

              (4)輸入濾波電感過大

              解決方法:可以通過調(diào)整供電或者更換相應(yīng)的外圍電路來改善。如:調(diào)高電壓或換用更大功率輸入電源,調(diào)整布線,增大導(dǎo)線截面積或縮短導(dǎo)線長度,減小內(nèi)阻,換用導(dǎo)通壓降小的二極管,減小濾波電感值或降低電感的內(nèi)阻。

              期望大家在選購電源模塊時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多電源模塊的資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!








              電容在開關(guān)電源模塊的作用

              一直以來,開關(guān)電源模塊的電磁干擾是一個(gè)重要的解決點(diǎn),從原理上來講電磁干擾主要來自于兩個(gè)方面,即傳導(dǎo)干擾和輻射的干擾。

              傳導(dǎo)干擾是由于電路中寄生參數(shù)的存在,以及開關(guān)電源中開關(guān)器件的開通與判斷,使得開關(guān)電源在交流輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。

              輻射的干擾是指由于導(dǎo)體中電流的變化會(huì)在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場,而變化的磁場又產(chǎn)生變化的電場,這一變化電流的幅值和頻率決定其產(chǎn)生的電磁的大小以及其作用范圍。

              為了減輕和抵抗這些電磁干擾對(duì)電網(wǎng)及電子設(shè)備產(chǎn)生的危害,設(shè)了X電容和Y電容,其中X電容主濾波作用,常用于差模濾波,與共模電感匹配,并聯(lián)在輸入的兩端,濾除L、N線之間的差模信號(hào),可防對(duì)外干擾。而Y電容主接地,常用于共模濾波,對(duì)稱使用,接于L于地或N于地之間,濾除L對(duì)地或N對(duì)地之間的差模信號(hào)。基于漏電流的限制,Y電容值不能太大。從公式2可以看出,減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)的回路面積會(huì)有效降低電磁干擾水平。






              模塊電源的輸入保護(hù)電路

              一般模塊電源產(chǎn)品都有內(nèi)置濾波器,能滿足一般電源應(yīng)用的要求。如果需要更高要求的電源系統(tǒng),應(yīng)增加輸入濾波網(wǎng)絡(luò)。可以采用LC或π型網(wǎng)絡(luò),但應(yīng)注意盡量選擇較小的電感和較大的電容。

              為了防止輸入電源瞬態(tài)高壓損壞模塊電源,建議用戶在輸入端接瞬態(tài)吸收二極管并配合保險(xiǎn)絲使用,以確保模塊在安全的輸入電壓范圍之內(nèi)。為了降低共模噪聲,可以增加Y(Cy)電容,一般選擇幾nf高頻電容。R為保險(xiǎn)絲,D1為保護(hù)二極管,D2為瞬態(tài)吸收二極管(P6KE系列)。如:接線前注意檢查或加防反接保護(hù)電路,選擇合適的輸入電壓,上電前檢查電容極性,確保正確,在電源模塊輸出端加短路保護(hù)。






              軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管,在開通或關(guān)斷過程中,或是加于 其上的電壓為零,即零電壓開關(guān)(Zero-Voltage-Switching,ZVS),或是通過開關(guān)管的電流為零,即零電流開關(guān)(Zero-Current·Switching,ZCS)。這種軟開關(guān)方式可以顯著地減小開關(guān)損耗,以及開關(guān)過程中激起的振蕩,使開關(guān)頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造 了條件。功率場效應(yīng)管(MOSFET)是應(yīng)用較多的開關(guān)器件,它有較高的開關(guān)速度,但同時(shí)也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時(shí),在外電壓的作用下, 其寄生電容充滿電,如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,則將消耗于器件內(nèi)部,這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗,功率場 效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式(ZVS)。IGBT在零電壓條件下關(guān)斷,同樣也能減小關(guān)斷損耗,但是MOSFET在零電流條件下開通時(shí),并不能減小容性開通損耗。



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