磁控濺射儀常用指南「多圖」

危害磁控濺射勻稱性的要素 

創世威納——技術專業磁控濺射鍍膜機經銷商，人們為您提供下列信息內容。 

靶基距、標準氣壓的危害靶基距都是危害磁控濺射塑料薄膜薄厚勻稱性的關鍵加工工藝主要參數，塑料薄膜薄厚勻稱性在必須范圍之內隨之靶基距的擴大有提升的發展趨勢，無心插柳工作中標準氣壓都是危害塑料薄膜薄厚勻稱性關鍵要素。可是，這類勻稱是在小范圍之內的，由于擴大靶基距造成的勻稱性是提升靶上的一點兒相匹配的板材上的總面積造成的，而提升工作中標準氣壓是因為提升物體光學散射造成的，顯而易見，這種要素只有在小總面積范圍之內起功效。想要了解更多磁控濺射鍍膜機的相關內容，請及時關注創世威納網站。

直流磁控濺射技術

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。磁控濺射法是在高真空充入適量的Ar，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁）之間施加幾百K直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使Ar發生電離。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

以上內容由創世威納為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助！

磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。