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脈沖激光沉積簡介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。在激光通過大直徑靶材時可使其光柵掃描化（rastering），以獲得均勻性的薄膜。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積系統配置介紹

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脈沖激光沉積系統配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。其它各種構造:各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等。

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統介紹

離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發了離子輔助的PLD 系統，該系統將PLD 在沉積復雜材料方面的優勢與IBAD 能力結合在一起。

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