磁控濺射儀公司推薦 沈陽鵬程真空技術公司

什么是磁控濺射？

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。一個靶槍配套的是直流電源，用于導電材料的濺射鍍膜2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應用非常廣泛。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

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磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。具有一體化、占用空間小、靈活的特點，無需380V工業電，無需額外冷水機，采用無油干泵分子泵組，無需操心真空系統和操作間環境泵油污染。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之一。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。

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磁控濺射鍍膜設備的主要用途

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1.各種功能性的薄膜鍍膜。所鍍的膜一般能夠吸收、透射、反射、折射、偏光等效果。

2.時裝裝飾領域的應用，比如說各種全反射鍍膜以及半透明鍍膜，可適用在手機外殼、鼠標等產品上。

3.微電子行業領域中，其是一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣象沉積上。

4.在光學領域中用途巨大，比如說光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻 璃和透明導電玻璃等方面得到應用。

5.在機械行業加工中，其表面功能膜、超硬膜等等。其作用能夠提供物品表面硬度從而提高化學穩定性能，能夠延長物品使用周期。