封裝用IGBT測試儀加工多重優惠「多圖」

華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態參數而研制的智能測試系統；6）短路保護放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時快速使設備處于安全電位。自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩定（對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。

3.3主要技術要求

3.3.1 動態參數測試單元技術要求

3.3.1.1 環境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr

開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被測雙脈沖觸發信號，開通和關斷被測器件兩次，被測器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測器件飽和導通且IC達到測試規定值時，關斷被測器件(設為t1時刻)，之后電感L經二極管（Q1內部二極管）續流，IC迅速減小，直至IC降為零時，第二次開通被測器件(設為t2時刻)，此后電感L中的電流向IC轉移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測器件再次達到飽和導通時(設為t3時刻)，關斷被測器件。2測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2。記錄下被測器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。