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發布時間：2020-12-10 08:24
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離子束刻蝕
離子束刻蝕以離子束為刻蝕手段達到刻蝕目的的技術，其分辨率限制于粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束較小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構較小可能不會小于10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，較以較快的直寫速度進行小于50nm的刻蝕，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接制造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。
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刻蝕
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。
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離子束刻蝕常見的效應
刻蝕的理想結果是將掩模(mask)的圖形準確地轉移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產額隨離子束入射角變化等原因，產生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現象，這些效應的存在降低了圖形轉移精度。
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利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對所有材料進行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。
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