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發布時間：2021-09-11 11:44
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光刻膠的應用
光刻膠的應用
1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。光刻膠市場據統計資料顯示，2017年中國光刻膠行業產量達到7。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。
正負光刻膠
正負光刻膠
光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。為了實現7nm、5nm制程，傳統光刻技術遇到瓶頸，EUV(13。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠價格
四、前烘（Soft Bake）
完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。
在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。光刻膠介紹光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。
在前烘過程中，由于溶劑揮發，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。
NR9-1000py
問題回饋：
1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據我所知，Futurrex
有幾款膠很，NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。
2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？
A 美國光刻膠，Futurrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。
3．你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應用產品？
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，
反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。
6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？
A 可以考慮使用Futurrex
，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．請問，那位知道，RIE
Mask,用什么光阻比較好？
A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。
8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？
A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？
A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？
A 有一種膠很適合，美國Futurrex
生產的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers
