黑龍江自動磁控濺射鍍膜機供應商常用指南

危害磁控濺射勻稱性的要素 

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靶基距、標準氣壓的危害靶基距都是危害磁控濺射塑料薄膜薄厚勻稱性的關鍵加工工藝主要參數，塑料薄膜薄厚勻稱性在必須范圍之內隨之靶基距的擴大有提升的發展趨勢，無心插柳工作中標準氣壓都是危害塑料薄膜薄厚勻稱性關鍵要素。實際上，每個設備都有使用壽命，例如，擴散泵用的硅油，使用壽命為兩年左右，我們提早更換，這是浪費嗎。可是，這類勻稱是在小范圍之內的，由于擴大靶基距造成的勻稱性是提升靶上的一點兒相匹配的板材上的總面積造成的，而提升工作中標準氣壓是因為提升物體光學散射造成的，顯而易見，這種要素只有在小總面積范圍之內起功效。

磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子，通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續進行。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現有反應濺射技術方案進行了改進，開發出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。