PVD離子鍍膜機廠家多重優(yōu)惠 至成鍍膜設(shè)備

PET真空鍍膜設(shè)備相關(guān)問題的解決方法

PET真空鍍膜設(shè)備平均水消耗量為0.6m3/小時，每小時平均耗電：850W，每30天更換5次過濾芯，更換過濾芯數(shù)量20只，每天消耗過濾芯數(shù)量：0.7只，過濾芯可后級更換前級，更換周期也可根據(jù)具體情況延長。

設(shè)備在交付時會提供操作、調(diào)試、維修等一系列全套技術(shù)資料，包括操作和維修手冊。維修手冊中含電路圖、氣路圖、水管路圖，并列出控制設(shè)備、控制元件、易耗品以及易磨損的部件名稱、型號、規(guī)格、制造商或供應(yīng)商，以便用戶可以隨時修理與維護清洗設(shè)備。

影響離子鍍膜層質(zhì)量的工藝參數(shù)

①基片偏壓.

離子鍍膜基片施加負偏壓后；各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面．基片負偏壓的提高，會使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能，如細化晶粒，圖2表明，隨著基片負偏壓的提高，膜層組織變細，但是，基片負偏壓的提高也會產(chǎn)生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時，基片負偏壓對鉻膜表面光澤度的影響，基片負偏壓的提高還會使沉積速率降低，使基片溫度升高，圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負偏壓對沉積速率的影響，因此，應(yīng)根據(jù)不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當(dāng)?shù)幕撈珘骸?

②鍍膜真空度和反應(yīng)氣體分壓.

離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規(guī)律相似，但反應(yīng)氣體分壓對反應(yīng)離子鍍鍍制化合物膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能有直接的影響，圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮氣分壓的關(guān)系，因此反應(yīng)氣體的分壓應(yīng)根據(jù)離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質(zhì)、使用要求以及設(shè)備來選擇

③基片溫度.

離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能。一般情況下，溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過高，則會使沉積速率降低，有時還會使膜層晶粒粗大，性能變壞；圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規(guī)律。另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質(zhì)的限制，如鋼材的回火溫度等

④蒸發(fā)源功率．

蒸發(fā)源功率對蒸發(fā)速率有直接的影響，進而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對反應(yīng)沉積化合膜時蒸發(fā)源功率也將影響膜層的成分。

為了獲得所需性能的膜層，應(yīng)綜合分析、考慮各種因素，迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數(shù)。

真空PVD鍍膜涂層工藝?yán)鋮s如何進行？

1.高閥關(guān)閉，真空計關(guān)閉，真空室與泵組隔離；

2.當(dāng)操作人員按下N2vent按鈕，預(yù)先接好的氮氣會通過N2充氣閥充入真空室，當(dāng)真空室內(nèi)的壓力達到壓力開關(guān)預(yù)設(shè)的壓力時，N2充氣閥關(guān)閉。

3.真空室內(nèi)充入了大量N2，真空度很低，更加有利于熱傳導(dǎo)，所以降溫速度比不充冷卻N2時快很多，縮短冷卻時間，提高生產(chǎn)效率，實際冷卻時間可由原來的90分鐘縮短為60分鐘。

4.由于氦氣的熱傳導(dǎo)率更高，所以充入冷卻氦氣比氮氣降溫速度更快，但是成本也更高。

5.國外設(shè)備快速冷卻程序，通過冷卻氣體的循環(huán)冷卻，能縮短冷卻時間50%。

為什么要進行壓升率測試？

真空環(huán)境條件是影響終涂層質(zhì)量重要的因素。鍍膜前，必須進行壓升率測試，以保證真空環(huán)境條件滿足鍍膜標(biāo)準(zhǔn)。

怎樣進行壓升率測試？

在我們的自動鍍膜工藝中，壓升率測試是自動進行。當(dāng)真空室內(nèi)真空度達到工藝設(shè)定的本底真空后，進入壓升率測試步驟。

系統(tǒng)會自動關(guān)閉高閥，此時真空室與泵組隔離，真空室內(nèi)壓力會升高。在一定時間內(nèi)（一般1分鐘），如果壓力不超過設(shè)定的報警值，系統(tǒng)會自動進行下一步程序，進入鍍膜步驟。如果壓力超過設(shè)定的報警值，系統(tǒng)會有報警提示，此時，操作人員應(yīng)按照操作流程，再次進行抽真空和加熱烘烤，然后重復(fù)進行壓升率測試，直至壓升率滿足鍍膜條件。