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發布時間:2021-08-04 20:34  
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四氟化碳物理性質 :
熔點-183.6℃,
分子式是CF4,
沸點-128.1℃,
液體密度(-130℃)1.613g/cm3,
液體折光率(-173℃)1.515,
固體轉變點72.2K,
臨界溫度-45.67℃,
臨界壓力3.73MPa,
蒸氣壓(-150.7℃)13.33kPa
介電常數(25℃,0.5MPa)1.0006
臨界密度:7.1dm3/mol
標準摩爾自由能:-929.84 kJ/mol
標準摩爾生成自由能:-887.41 kJ/mol
危險性類別:第2.2類不燃氣體
反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大,光伏發電累計裝機容量不斷上升,預計2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。
