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發布時間:2021-01-16 13:24  
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KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面
A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲(Close-inPhase Noise), 因為他們有低的 Q 值和更寬的邊帶;
B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定;
C 遠端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。
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KOAN 壓控晶振 VCXO,與 TCXO,OCXO 系列應用區別
? TCXO 系列:時間基準,移動設備,無線通訊,精密儀表,智能監控。
? VCXO 系列:頻率電校準,高頻網絡應用系統,軍事防干擾通訊。
? OCXO 系列:移動通信基地站,導航,頻率計數器,頻譜和網絡分析儀器(頻率標準)。
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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件
相位條件:ωL=1/ωcl(ω 晶體頻率, L 晶體有效電感,CL 晶體負載電容),調整負載電容可以調整頻率高低,實現頻率精準度高;KOAN壓控振蕩器對晶體諧振器的要求晶振的動態電容與頻率的牽引成正比,負載電容大小及其變化大小與頻率牽引成反比,選用基頻并增大動態電容可加大牽引,但諧振器的動態電感減小,Q值下降,頻率穩定度必然下降。振幅條件:│Rˉ│≥R(設計電路要考慮負性阻抗值 Rˉ的相對值,在起動時要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍,正常振蕩時│Rˉ│=R)。
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