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光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性膠；③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。

光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

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二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

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(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。