脈沖激光沉積裝置公司擇優(yōu)推薦「沈陽鵬程」

PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)脈沖激光沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

技術(shù)指標(biāo)：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復(fù)真空時(shí)間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)。　　

二維掃描機(jī)械平臺(tái)，執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃,

質(zhì)量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫（高溫爐盤，數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫可加熱到800℃）

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

想要了解更多脈沖激光沉積的相關(guān)內(nèi)容，請及時(shí)關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺(tái)可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。Neocera的激光MBE系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500mTorr時(shí)所需的單分子層控制。

脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積，是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材，生成與靶材組成相同的薄膜。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。PLD 的獨(dú)特之處是能量源（脈沖激光）位于真空室的外面。這樣，在材料合成時(shí)，工作壓力的動(dòng)態(tài)范圍很寬，達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度，可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。

另外，PLD 是一種“數(shù)字”技術(shù)，在納米尺度上進(jìn)行工藝控制（A°/pulse）。

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司以誠信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積,公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD 能力結(jié)合在一起。

想要了解更多脈沖激光沉積的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話進(jìn)行咨詢！