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四氟化碳物理性質 :

   熔點-183.6℃，

   分子式是CF4,

　　沸點-128.1℃，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉變點72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標準摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標準摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險性類別：第2.2類不燃氣體

四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳的熱穩定性更好。化合物的熱穩定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內，嚴禁曝曬，遠離熱源。

它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數是6,500(二氧化碳的系數是1)。雖然結構與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩定性更好。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化1硅，隨后通過硅膠和五1氧化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。