變頻器用IGBT測試儀加工量大從優(yōu) 華科大功率IGBT

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

4驗收和測試 1)驗收由雙方共同參加，按照技術(shù)規(guī)范書的技術(shù)要求逐項完成所有測試項，檢驗單元是否功能齊全、模塊完整、正常運行。由賣方現(xiàn)場安裝、測試，買方確認測試合格通過后完成驗收。 2)賣方負責組織和實施整個單元的組裝、調(diào)試、系統(tǒng)集成工作；由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換。負責免費培訓并提供培訓教材。培訓后，應(yīng)能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。

5 包裝、標志和運輸 賣方負責整套設(shè)備的包裝和運輸，并負擔由此產(chǎn)生的費用。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應(yīng)中國境內(nèi)公路、鐵路運輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場保存時間的要求。包裝與運輸由專人負責，每個部分隨機文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復的沖擊，對半導體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。