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晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN 諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 晶體諧振器之 R1 諧振電阻（能耗），動態(tài)電感 L 和 DLD2：諧振電阻 R1 與 Q 值（品質(zhì)因數(shù)）成反比，Q 值由生長水晶料品質(zhì)決定，越高，固有頻率越穩(wěn)定。動態(tài)電感 L，表征振動質(zhì)量，與頻率大小成反比。DLD2：激勵功率變化引起的阻抗變化，由殘留應(yīng)力和制造污染造成，越小越好。小型化發(fā)展趨勢：諧振電阻（R1）變大，CL 變低。另外，激勵功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。

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KOAN 晶器 體諧振器 MHz 晶體系列編號封裝尺寸解讀

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