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發布時間：2021-04-06 15:13
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近兩年IGBT測試儀持續火爆，新能源汽車，軌道交通，風力發電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們華科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內的IGBT模塊，基本可以涵蓋現階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，目前國內我們華科智源不光是IGBT靜態測試儀，包括動態測試儀，與的設備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。
三、華科智源IGBT測試儀系統特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數據庫功能 I：MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；半導體元器件生產廠——應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率。
什么是大功率半導體元件？其用途為何？
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。
表格12動態參數測試部分組成
序號 組成部分 單位 數量
1 可調充電電源 套 1
2 直流電容器 個 8
3 動態測試負載電感 套 1
4 安全工作區測試負載電感 套 1
5 補充充電回路限流電感L 個 1
6 短路保護放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關 個 5
9 尖峰抑制電容 個 1
10 主回路正向導通晶閘管 個 2
11 動態測試續流二極管 個 2
12 安全工作區測試續流二極管 個 3
13 被測器件旁路開關 個 1
14 工控機及操作系統 套 1
15 數據采集與處理單元 套 1
16 機柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1
