檢修用IGBT測試儀批發品質售后無憂「多圖」

近兩年IGBT測試儀持續火爆，新能源汽車，軌道交通，風力發電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們華科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內的IGBT模塊，基本可以涵蓋現階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，目前國內我們華科智源不光是IGBT靜態測試儀，包括動態測試儀，與的設備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進。4)濕度：20%RH至90%RH(無凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)。

如何檢測元件有老化的現象？ 半導體元件有許多參數都很重要，有些參數如：放大倍率，觸發參數，閂扣，保持參數，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現象時，僅須測量導通參數及漏電流二項即可。將量測的數據與其出廠規格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導體元件的參數？且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數據便稱為此元件的參數。若元件的工作條件超過其參數數據，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。

技術要求

3.1整體技術指標

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

GBT模塊動態參數測試。

*2）測試對象

被測器件IGBT模塊動態參數。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標

測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。

3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr