青島AR鍍膜機(jī)值得信賴「至成真空科技」

真空鍍膜機(jī)真空鍍膜機(jī)廠家真空鍍膜設(shè)備工藝清洗

真空鍍膜機(jī)真空工藝進(jìn)行前應(yīng)清洗真空材料，從工件或系統(tǒng)材料表面清除污染物；車燈鍍膜機(jī)零部件的表面清洗處理也是很有必要的，因?yàn)橛晌廴疚锼斐傻臍怏w、蒸氣源不僅會(huì)使真空系統(tǒng)不能獲得所要求的真空度。而且由于污染物的存在，同時(shí)也會(huì)影響真空部件連接處的強(qiáng)度和密封性能。

真空鍍膜機(jī)污染物可以定義為“任何一種無用的物質(zhì)或能量”，多弧離子鍍膜機(jī)根據(jù)污染物的物理狀態(tài)可分為固體、氣體及液體，它們以膜或散粒形式存在。就其化學(xué)特征來看，它可以處于離子態(tài)或共價(jià)態(tài)，可以是無機(jī)物或有機(jī)物。

真空鍍膜機(jī)暴露在空氣中的表面易受到污染，污染的來源有多種，起初的污染通常是表面本身形成過程中的一部分。吸附現(xiàn)象、化學(xué)反應(yīng)、浸析和干燥過程、機(jī)械處理以及擴(kuò)散和離析過程都使各種成分的表面污染物增加。

真空鍍膜機(jī)給物件鍍膜,為什么要在真空狀態(tài)下進(jìn)行?

真空鍍膜機(jī)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于生活中，大家對(duì)它也是耳熟能詳，也了解他的作用和用處，包括他的應(yīng)用領(lǐng)域，但是很多人卻不太了解，真空鍍膜機(jī)在給物件鍍上一層膜的時(shí)候，為什么要選擇在真空狀態(tài)下進(jìn)行：

大家都知道物件鍍膜在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實(shí)上，如在壓力不夠低(或者說真空度不夠高)的情況下同樣得不到好的結(jié)果，比如在10托數(shù)量級(jí)下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機(jī)械強(qiáng)度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。蒸鍍必須在一定的真空條件下進(jìn)行，這是因?yàn)椋?

（1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。

由于氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運(yùn)動(dòng)的速度相當(dāng)?shù)母?可達(dá)每秒幾百米)，但是由于它在前進(jìn)的過程中要與其它分子多次碰撞，一個(gè)分子在兩次連續(xù)碰撞之間所走的距離被稱為它的自由程，而大量分子自由程的統(tǒng)計(jì)平均值就被稱為分子的平均自由程。

（2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下，真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子(氧、氮、水及碳?xì)浠衔锏?，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應(yīng)；它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命；它們?cè)谝颜舭l(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進(jìn)行。

多弧離子真空鍍膜機(jī)的由來

我國(guó)在真空鍍膜行業(yè)，目前更多的應(yīng)用都集中在裝飾方面，對(duì)能有效地提高關(guān)鍵部件使用壽命機(jī)械功能薄膜的制備設(shè)備、工藝及應(yīng)用研究方面還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外先進(jìn)水平。同時(shí)，裝飾鍍方面也逐漸向耐磨和裝飾雙重功能的方向發(fā)展，之前的離子鍍膜機(jī)已體現(xiàn)出不能滿足裝飾鍍要求的問題。本技術(shù)的研發(fā)成功，將打破國(guó)內(nèi)機(jī)械功能耐磨減摩薄膜完全依靠國(guó)外技術(shù)的被動(dòng)局面；對(duì)提高我國(guó)裝備制造業(yè)的技術(shù)水平和真空離子鍍的技術(shù)發(fā)展都是一個(gè)非常好的作用。另外，將制備的耐磨減摩薄膜應(yīng)用于其它關(guān)鍵部件中，起到了非常好的節(jié)約能源和提率的作用，可替代部分原來電鍍的工藝，對(duì)環(huán)境保護(hù)起到很好的作用。

目前，國(guó)際上機(jī)械功能硬質(zhì)薄膜（特別是刀具用膜層）大多采用陰極電弧沉積技術(shù)，但陰極電弧沉積存在的主要技術(shù)問題是所制備的膜層表面不夠光潔，有較多的顆粒，影響應(yīng)用性能；特別是國(guó)內(nèi)制造的陰極電弧沉積設(shè)備顆粒問題尤為嚴(yán)重。在此技術(shù)基礎(chǔ)上引入磁過濾技術(shù)，雖可解決表面沉積的顆粒問題，但沉積效率只有原來的1/10左右，并且沉積面積小，從而使生產(chǎn)周期長(zhǎng)，制造成本高，不適合大批量鍍膜生產(chǎn)應(yīng)用。而磁控濺射技術(shù)所制備的膜層表面光潔、細(xì)膩，沉積速率適中，能均勻地大面積沉積薄膜。但磁控濺射技術(shù)也存在離化率低（一般在10％），所制備的膜層在硬度、耐磨性及結(jié)合力上不如陰極電弧技術(shù)所制備的膜層；在進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)性鍍膜（如TiN、TiO2）時(shí)，由于金屬粒子的離化率低、反應(yīng)活性差，必須過量通入反應(yīng)性氣體，造成磁控靶面的毒化（化學(xué)反應(yīng)），引起蒸發(fā)速率急劇降低等一系列雪崩式后果，使得磁控濺射反應(yīng)鍍膜存在著不穩(wěn)定性和不可控性。