靜電除塵高壓陶瓷電容器生產廠家多重優惠 北京七星飛行

電容器在電源中的應用之浪涌電壓保護

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達150kV，放電電流大，介質損耗＜0.1%。

開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。工作可靠、靈敏度高、壽命長、功率損耗小、允許操作頻率高，并能適應較嚴酷的工作環境，故在自動化機床和自動化生產線中得到越來越廣泛的應用。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。

在額定電壓值高達2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導體器件，如IGBT，電容值可高達2.2ΜF，電壓在1200VDC的范圍內。不能僅根據電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的DV/DT值。用于MRI的新型無磁電容磁共振成像(MRI)設備內部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。耗散因子決定著電容器內部的功率耗散。因此，應選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。

高壓電容器預防故障的措施有哪些?

1)加強巡視、查看、維護并聯高壓陶瓷電容器應定時停電查看，每個季度少1次，首要查看電容器殼體、瓷套管、裝置支架等部位是不是有積塵等污物存在，并進行認真地打掃。查看時應特別注意各聯接點的聯接是不是結實，是不是松動;殼體是不是鼓肚、滲(漏)油等。此外，在過高的運轉電壓效果之下，電容器內部的絕緣介質會發作部分老化，電壓越高，老化越快，壽命越短。若發現有以上現象呈現，有必要將電容器退出運轉，妥善處理。

2)準確選用投(切)開關斷開并聯高壓陶瓷電容器時，因為開關靜、動觸頭間的電弧效果，將會導致操作過電壓發作，除了請求將投(切)開關的容量選得比并聯電容器組的容量大35%擺布以外，還有必要是觸頭間絕緣康復強度高，電弧重燃性小，滅弧性能好的斷路器。電場的能的性質表現為：當電荷在電場中移動時，電場力對電荷做功（這說明電場具有能量）。

3)操控運轉溫度在正常環境下，一般請求并聯電容器外殼熱門的溫度不得大于60℃，否則，須查明因素，進行處理。

電容器在yiliao器械中選型及應用

用于MRI的新型無磁電容

磁共振成像(MRI)設備內部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質、電極材料或端接材料中可能含有鐵質或磁性材料。為提高圖像分辨率，MRI系統的磁場水平不斷提高，而MRI室內使用的電容會造成磁場畸變。其中最常見的是行程開關，它利用生產機械運動部件的碰撞使其觸頭動作來實現接通或分斷控制電路，達到一定的控制目的。因此，需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

較新推出的系列MLCC在電極和端子結構中采用非鐵材料，來滿足消除磁化的要求。無磁結構可以采用X7R和NPO電介質。外形尺寸為0402至1812，符合相關規格。感應充電器需要具備高擊穿電壓(VBD)性能，同時，某些應用中還需要防護高壓電弧放電。Vishay還在終測試時采用了專用電容分選設備，以確保所有無磁電容均能符合技術要求。