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發(fā)布時間：2021-09-04 21:39
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壓控振蕩器的特性
壓控振蕩器的類型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術要求主要有：頻率穩(wěn)定度好、控制靈敏度高、調頻范圍寬、頻偏與控制電壓成線性關系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，但調頻范圍窄；RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調頻范圍寬，LC壓控振蕩器居二者之間。
在通信或測量儀器中，輸入控制電壓是欲傳輸或欲測量的信號（調制信號）。人們通常把壓控振蕩器稱為調頻器，用以產生調頻信號。在自動頻率控制環(huán)路和鎖相環(huán)環(huán)路中，輸入控制電壓是誤差信號電壓，壓控振蕩器是環(huán)路中的一個受控部件。
鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應研究
空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,將產生頻率或相位偏差,甚至導致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關鍵電路,也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應的影響,通過分析失效機理,以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明,當器件工作在截止區(qū)時,入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
DRO系列壓控振蕩器是一種基本的窄帶信號源，它利用高Q介質諧振器實現(xiàn)了好的相位噪聲性能。目前，DRO VCO解決方案適用于在7至14 GHz范圍內工作的頻率。該可定制的超低噪聲振蕩器系列可提供電氣調諧和機械調諧，以實現(xiàn)精細的頻率精度
CRO或陶瓷諧振器系列振蕩器以提供出色的相位噪聲性。 它們在范圍內可用從400 MHz到8 GHz的任何頻率，同時提供非常低的調諧靈敏度以優(yōu)化性能。
1. 中心頻率指頻率調節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達到245.0MHz，LVDS可達到2.1GHz, HCSL可達到700MHz。
2. 輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS, LVDS, HCSL, True Sine都有不同的波形特征以及用途。
3. 工作電壓可根據(jù)具體型號選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應用較為廣泛。
4. 壓控范圍通過調節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位為ppm，范圍一般為±50~200ppm。
5. 頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內，對標稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。
6. 工作溫度工業(yè)級標準-40~85℃。特殊應用會對溫度有更高的要求。
