顯示屏納米鍍膜設備的行業須知“本信息長期有效”

（1）化學氣相沉積（CVD）反應溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積），反應溫度在500~800℃。若通過氣相反應的能量，還可把反應溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

① 電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強CVD，或電子束誘導CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進。

② 激光輔助CVD（LACVD)，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進。

③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進行沉積。

④ 金屬有機化合物CVD（MOCVD），是在一種有機金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時是穩定的，但在高溫下分解）中進行沉積。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統、放電電源、真空系統及檢測系統組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質，經調節裝置得到所需要的流量，再與源物質同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學反應過程。

物理氣相沉積（PVD）工藝已經有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術語“物理氣相沉積”僅在60年代出現。當時，需要通過發展眾所周知的技術來發展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術，磁場，氣體化學，熱蒸發，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結構控制以及低溫下的材料沉積。