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政策扶持

為促進我國光刻膠產業的發展，國家02重大專項給予了大力支持。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收組、財務驗收組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。

據悉，經過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發，達到了任務書中規定的材料和裝備的考核指標。在28nm生產線產能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續性強。項目共申請發明15項（包括國際5項），截止到目前，共獲得授權10項（包括國際授權3項）。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發生化學變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

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光刻膠

光刻膠由光引發劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產酸劑等成分來達到提高光引發效率、優化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發生變化。

分類

根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區相同的圖形。

優點：分辨率高、對比度好。

缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區域光刻膠完全溶解時所需的能量

負膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點： 顯影時發生變形和膨脹，導致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。