AF真空鍍膜機量大從優(yōu) 至成鍍膜機

多功能真空鍍膜機是怎么構成的？

多功能真空鍍膜機是磁控濺射、多弧離子、蒸發(fā)鍍膜的混合性設備，是在多弧離子鍍膜機的基礎上裝備圓柱靶或平面磁控靶，設備具有離子鍍的高離化率、高堆積速度的特色，一起也具有磁控濺射低溫、安穩(wěn)的長處，合適鍍各種復合膜。

多功能真空鍍膜機--磁控、中頻、多弧離子鍍膜具體介紹：

①蒸騰與磁控濺射的混合設備:多功能，合適量產(chǎn)，適應性強。

②磁控濺射與多弧離子鍍的混合運用:多弧能夠進步炮擊清洗質(zhì)量，添加薄膜與基材結合力。與磁控濺射一起作業(yè)可鍍制復合膜（高能離子源清洗活化，成膜速度快）。

③多對中頻磁控濺射靶與柱弧離子鍍的混合運用:中頻靶更安穩(wěn)（如Al），離化率高、堆積速率快、成膜均勻。中頻反應濺射如鍍制Si02、TiO2，一起鍍多層不一樣原料簿膜。

④射頻、直流、中頻、柱弧的混合運用：射頻能夠直接鍍制絕緣保護膜如SiO2/Ag/SiO2

⑤圓柱弧、中頻、多弧的混合運用:柱弧確保高離化率的一起，削減大顆粒堆積的份額，到達有好的結合力又有較好表面光潔度的作用。多功能真空鍍膜機適用中高層次商品如表帶、表殼、眼鏡框、手機殼、高爾夫球具、衛(wèi)浴潔具、飾品等。

真空鍍膜機磁控濺射主要工藝流程：

1、基片清洗，主要是用蒸汽清洗，隨后用乙醇浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；

2、抽真空，真空須控制在2×104Pa以上，以保證薄膜的純度；

3、加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結合力，需要對基片進行加熱，溫度一般選擇在150℃~200℃之間；

4、Ar氣分壓，一般選擇在0.01~1Pa范圍內(nèi)，以滿足輝光放電的氣壓條件；

5、預濺射，預濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質(zhì)量；

6、濺射，Ar氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達基片表面沉積成膜；

7、退火，薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異，結合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴散可以有效提高粘著力。

真空鍍膜機磁控濺射鍍膜的特點：薄膜純度高，致密，厚度均勻可控制，工藝重復性比較好，附著力強。

依據(jù)濺射源的不同，真空鍍膜機磁控濺射有直流和射頻之分，兩者的主要區(qū)別在于氣體放電方式不同，真空鍍膜機射頻磁控濺射利用的是射頻放電，陶瓷產(chǎn)品使用的是射頻磁控濺射鍍。

采用PVD鍍膜技術鍍出的膜層有什么優(yōu)勢

采用PVD鍍膜技術鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學穩(wěn)定性等特點，膜層的壽命更長；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。PVD膜層能直接鍍在不銹鋼、硬質(zhì)合金上、鈦合金、陶瓷等表面，對鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應先進行化學電鍍鉻，然后才適合鍍PVD。PVD鍍膜技術是一種能夠真正獲得微米級鍍層且無污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜（如鋁、鈦、鋯、鉻等）、氮化物膜（TiN[鈦金]、ZrN〔鋯金〕、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD鍍膜膜層的厚度為微米級，厚度較薄，一般為0.1μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.1μm~2μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學性能，并能夠維持工件尺寸基本不變，鍍后不須再加工。

多弧離子真空鍍膜機鍍膜技術具有以下特點：可以任意安裝使薄膜均勻。外加磁場可以改善電弧放電；使電弧細碎；旋轉速度加快；細化膜層微粒；對帶電粒子產(chǎn)生加速作用。金屬離化率高，有利于薄膜的均勻性和提高附著力，是實現(xiàn)離子鍍膜的良好工藝。一弧多用，既是蒸發(fā)源，又是預轟擊凈化源和離化源。