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發(fā)布時(shí)間:2021-01-12 12:03  
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如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離,依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm,DS電壓在700V以下是0.9mm,考慮到污染和潮濕,一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠,需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象,增加安全距離后解決了,因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法,把產(chǎn)品放低溫環(huán)境(冰箱)幾分鐘,測(cè)試VCC波形電壓有沒(méi)有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒(méi)那么全,有興趣的可以做個(gè)對(duì)比,看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔,有利于散熱,小板也一樣,要考慮風(fēng)路。