負性光刻膠報價規格尺寸,北京賽米萊德

正性光刻膠的結構

光學光刻膠通常包含以下三種成分：(1)聚合物材料(也稱為樹脂)。聚合物材料在光的輻照下不發生化學反應，其主要作用是保證光刻膠薄膜的附著性和抗腐蝕性，同時也決定著光刻膠薄膜的其他一些特性(如光刻膠的膜厚要求、彈性要求和熱穩定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般為復合性物質(簡稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之后會發生化學反應。正膠的感光劑在未曝光區域起抑制溶解的作用，可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例，使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡稱為DQ)感光劑和酚樹脂構成。(3)溶劑(如丙二醇-，PGME)。溶劑的作用是使光刻膠在涂覆到硅片表面之前保持為液態

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光刻膠介紹

光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。

從技術水平來看，在PCB領域，國產光刻膠具備了一定的技術和量產能力，已經實現對主流廠商大批量供貨。

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何為光刻膠

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，由光引發劑、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。

它被稱為是電子化工材料中技術壁壘較高的材料之一，主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用。

按照下游應用，光刻膠可分為半導體用光刻膠、LCD用光刻膠、PCB（印刷線路板）用光刻膠等，其技術壁壘依次降低。

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光刻膠的未來發展

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由于光刻膠的技術壁壘較高，國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業占據。  

國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠，面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品，TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少，仍需大量進口，從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。