變頻器用IGBT測試儀價格在線咨詢

華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態參數而研制的智能測試系統；建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩定（對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。

現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換..現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性。..等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V；主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。 Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測試 0.1～5V 二極管導通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

用于安裝固定試驗回路及單元；主要技術參數要求如下；

?風冷系統；

?可顯示主要電氣回路參數及傳感器測量值；

?可直觀監視試驗過程，并可兼容高溫攝像頭；

?防護等級：IP40。

?面板按鈕可以進行緊急操作

?機柜顏色：RAL7035

17）壓接夾具及其配套系統

?工作壓力范圍：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下極板不平行度小于20μm

?極板平整度小于10μm

?壓力可連續調節，施加壓力平穩，不可出現加壓時壓力過沖

?安全技術要求：滿足GB 19517—2009國家電氣設備安全技術規范；

?測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB 19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）

18）其他輔件