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發布時間：2021-09-29 01:16
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IGBT半導體器件測試系統的主要應用領域概括如下：
?半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益；
?半導體元器件生產廠 —— 應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率；
?電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；
?航天、領域 ——— 應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；
技術要求
3.1整體技術指標
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
GBT模塊動態參數測試。
*2）測試對象
被測器件IGBT模塊動態參數。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標
測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
安全工作區測試負載電感
?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH
?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）
?瞬態電壓 大于10kV
?負載電感 配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關參數性能需求與電感要求相匹配。
5）補充充電回路限流電感
限制充電回路中的di/dt。
?電感量 100μH
?電流能力 6000A （5ms）
?瞬時耐壓 10kV
?工作溫度室溫～40℃
?工作濕度 <70%
3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr
