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發(fā)布時間:2021-08-01 20:37  
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而在電路未啟動之前,由于高壓端啟動電阻的充電,可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓,一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的,一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?!駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值?因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的,耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路,因為耦合效果好,次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低,降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導通1V以上,避免驅(qū)動不足。
有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管,這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例,一款過了EMI的產(chǎn)品,余量都有4dB以上,量產(chǎn)很多次了,其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右,不良率有50%,經(jīng)過層層排查、一個個元件對換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題,更換之前的管子(留低樣品),余量有4dB。對不良管子分析,發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應商做了鏡像處理。