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發布時間:2021-04-23 05:57  
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小型磁控濺射儀的優勢
設備主要優勢
實用性:設備集成度高,結構緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件;通過更換設備上下法蘭可以實現磁控與蒸發功能的轉換,實現一機多用;
方便性:設備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調試簡單,既保證了設備使用方便又保證了設備的整潔;
高性價比:設備主要零部件采用進口或國內品牌,以國產設備的價格擁有進口設備的配置,從而保證了設備的質量及性能;
安全性:獨立開發的PLC 觸摸屏智能操作系統在傳統操作系統的基礎上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養維護提示等功能,保證了設備的使用安全性能;
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磁控濺射的種類介紹
磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對較高。具有一體化、占用空間小、靈活的特點,無需380V工業電,無需額外冷水機,采用無油干泵分子泵組,無需操心真空系統和操作間環境泵油污染。
但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術,即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域,從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片,增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡,若磁鐵靜止,其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構,同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶,如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備,多用磁場靜止靶源。1-10Pa的氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13。
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濺射鍍膜
濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。磁場大,束縛的自由電子增多,濺射速率增大,磁場小,束縛的自由電子就少,濺射速率降低。
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濺射鍍膜的特點
濺射就是從靶表面撞擊出原子物質的過程。濺射產生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。
濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點:
1.任何物質都可以濺射, 尤其是高熔點金屬、低蒸氣壓元素和化合物;
2.濺射薄膜與襯底的附著性好;
3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;
4.膜層厚度可控性和重復性好。
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