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發(fā)布時(shí)間：2021-04-07 18:24
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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。
如何判斷一只肖特基二極管的好壞呢？應(yīng)該如何檢測(cè)呢？下面一起為大家講解一下。
通過(guò)一個(gè)實(shí)例來(lái)介紹檢測(cè)肖特基二極管的方法。檢測(cè)內(nèi)容包括:①識(shí)別電極;②檢查管子的單向?qū)щ娦?③測(cè)正向?qū)航礦F;④測(cè)量反向擊穿電壓VBR。
被測(cè)管為常見(jiàn)的to-220封裝肖特基管，共有三個(gè)管腳，將管腳按照正面(字面朝向人)從左至右順序編上序號(hào)①、②、③。然后選擇500型萬(wàn)用表的R×1檔進(jìn)行測(cè)量，通斷電可顯示不同示數(shù)，根據(jù)示數(shù)就可以判斷這款肖特基二極管的好壞了。
為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢(shì)壘的退化問(wèn)題，ASEMI通過(guò)退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢(shì)壘，從而提高了肖特基勢(shì)壘的高溫性能與可靠性。
ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過(guò)歐盟rosh以及美國(guó)ul認(rèn)證，銷(xiāo)售覆蓋全球。
