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在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強處對應阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產生的壓降也就較大。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。1產生電場的方式很多如PN接面、金屬半導體接面等，其中最1常用的方式為PN接面。光電轉換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉變?yōu)樵谪撦d電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子 逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來,必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度,從而必變半導體的電導率。光電導器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。光伏效應在19世紀即被發(fā)現(xiàn)，早期用來制造硒光電池，直到晶體管發(fā)明后半導體特性及相關技術才逐漸成熟，使太陽光電池的制造變?yōu)榭赡堋?、光敏電阻這是一種半導體電阻。在沒有光照時,電阻很大;在一定波長范圍的光照下,電阻值明顯變小。

光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉換器件。三、半導體發(fā)光器件半導體發(fā)光器件是一種將電能轉換成光能的器件。它包括發(fā)光二極管、紅外光源、半導體發(fā)光數(shù)字管等。1、發(fā)光二極管發(fā)光二極管的管芯也是一個PN結,并具有單向導電性。PN結加上正向電壓時,電子由N區(qū)渡越(擴散)到空間電荷區(qū)與空穴復合而釋放出能量。自光電效應發(fā)現(xiàn)至今，光電轉換器件獲得了突飛猛進的發(fā)展，目前各種光電轉換器件已廣泛地應用在各行各業(yè)。這些能量大部分以發(fā)光的形式出現(xiàn)，因此，可以直接將電能轉換成光能。

如果入射光強度太高，導致器件內電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，使用光電倍增管時，應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛(wèi)1星上使用的太陽能電池。它也可作為光電子探測器件。3、光電耦合器把半導體發(fā)光器件和光敏器件組合封閉裝在一起就組成了具有電---光---電轉換功能的光電耦合器。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結區(qū)附近成為耗盡層，該層的兩側是相對高的空間電荷區(qū)，而耗盡層內通常情況下并不存在電子和空穴。