您好,歡迎來到易龍商務(wù)網(wǎng)!
發(fā)布時(shí)間:2020-09-08 12:25  
【廣告】






磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么?
靶zhong毒的影響因素
影響靶zhong毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶zhong毒。磁控濺射鍍膜機(jī)目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果,濺射完全是動(dòng)能的交換過程。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋,當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候,靶完全zhong毒。
創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)、銷售 磁控濺射鍍膜機(jī),以下信息由創(chuàng)世威納為您提供。
靶zhong毒現(xiàn)象
(1)正離子堆積:靶zhong毒時(shí),靶面形成一層絕緣膜,正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋,不能直接進(jìn)入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進(jìn)行下去。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中,化合物是在哪里形成的呢。(2)陽極消失:靶zhong毒時(shí),接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。
想了解更多關(guān)于 磁控濺射鍍膜機(jī)的相關(guān)資訊,請持續(xù)關(guān)注本公司。

濺射原理
以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容,創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī),歡迎新老客戶蒞臨。
1.1 濺射定義
就像往平靜的湖水里投入石子會(huì)濺起水花一樣,用高速離子轟擊固體表面使固體中近表面的原子(或分子)從固體表面逸出,這種現(xiàn)象稱為濺射現(xiàn)象。
1.2 濺射的基本原理
濺射是指具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面使其中的原子發(fā)射出來。早期人們認(rèn)為這一現(xiàn)象源于靶材的局部加熱。但是不久人們發(fā)現(xiàn)濺射與蒸發(fā)有本質(zhì)區(qū)別,并逐漸認(rèn)識到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動(dòng)量傳遞的結(jié)果。
磁控濺射鍍膜機(jī)的優(yōu)勢
1.實(shí)用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件;通過更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;
2.方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;
以上就是關(guān)于磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī)的相關(guān)內(nèi)容介紹,如有需求,歡迎撥打圖片上的熱線電話!