封裝用IGBT測(cè)試儀加工多重優(yōu)惠「多圖」

華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；6）短路保護(hù)放電回路 緊急情況下快速放電，保證緊急情況時(shí)快速使設(shè)備處于安全電位。自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過(guò)1000m；

2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

5)震動(dòng)：抗能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3.1開(kāi)通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開(kāi)通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí)間定義（見(jiàn)下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開(kāi)通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr

開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被測(cè)雙脈沖觸發(fā)信號(hào)，開(kāi)通和關(guān)斷被測(cè)器件兩次，被測(cè)器件次開(kāi)通后，集電極電流IC上升，直至被測(cè)器件飽和導(dǎo)通且IC達(dá)到測(cè)試規(guī)定值時(shí)，關(guān)斷被測(cè)器件(設(shè)為t1時(shí)刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時(shí)，第二次開(kāi)通被測(cè)器件(設(shè)為t2時(shí)刻)，此后電感L中的電流向IC轉(zhuǎn)移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測(cè)器件再次達(dá)到飽和導(dǎo)通時(shí)(設(shè)為t3時(shí)刻)，關(guān)斷被測(cè)器件。2測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2。記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導(dǎo)通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。