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發布時間：2020-12-25 12:45
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金屬膜電容的作用
精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次。
1、積分：用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中，采用這種積分電容電路，可以從場復合同步信號中取出場同步信號；
2、微分：用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發器電路中為了得到尖頂觸發信號，采用這種微分電容電路，以從各類信號中得到尖頂脈沖觸發信號；
3、補償：用在補償電路中的電容器稱為補償電容，在卡座的低音補償電路中，使用這種低頻補償電容電路，以提升放音信號中的低頻信號，此外，還有高頻補償電容電路；
低壓電容器安裝注意事項
一，集中裝置於變電所之高壓電路（高壓母線）之設置方法，此方法設備費用較少，安裝容易，但效果并不如裝置於低壓側有效，而僅對裝置地點之側部分有效。
二，裝置於低壓側時，與負載器具愈近愈佳，且每個負載均各個加以并聯適當容量之電力電容器理想，依此種方法使高低壓用的線路、變壓器等電力系統全體均能將電力損失減少，使設備能產生適量之寬裕，惟如采用此種方法，安裝設備比較昂貴。
三、裝置於對功率因數較差之負載及高壓電動機，個別加裝以適當容量之電力電容器，而對於其他負載則綜合以加在高壓電路之電力電容器，來改善功率因數，即采用上述兩項之并用方式。
四、設置時熔絲鏈容量(高壓)應選用電容器額定電流之1.65～2.5倍。二臺以上并置時，間隔距離應保持8公分以上，以利散熱。
五、并聯時避免使用銅板接線(高壓電容器及低壓屋外型電容器)。
六、配線及開關設備容量應不低於電容器額定電流之1.35倍。
七、保養工作時需在切離電源(高壓)5分鐘，(低壓)3分鐘，并確定無殘留電壓時，方可實施。
八、其他注意事項應詳閱電容器檢驗卡背面。
電容器的投切方式二
精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次
電子式無觸點可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關反應速度快的特點。采用過零觸發電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發出觸發信號，可控硅導通。此時電容器的電壓與電網電壓相等，因此不會產生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導通運行時，可控硅結間會產生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量，使機柜溫度升高。其中，智能電容器在近些年來的應用范圍得到了逐步的拓展，一些高1檔住宅區以及商業建筑中都能見到這種新型的電子元件。同時可控硅有漏電流存在，當未接電容時，即使可控硅未導通，其輸出端也是高電壓。優點：無涌流，無觸點，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內）；缺點：價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右
