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電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個(gè)量級(jí)，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計(jì)和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計(jì)制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺(tái)積電這樣的專業(yè)代工廠；而分立器件一顆die就是獨(dú)立的一個(gè)發(fā)光源再加上正負(fù)電極，里面的制程可能100um/10um級(jí)就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨(dú)立的LED IC設(shè)計(jì)公司。

2，芯片制造廠對(duì)清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動(dòng)速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對(duì)發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個(gè)數(shù)量級(jí)（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴(yán)重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。

用于半導(dǎo)體照明的芯片技術(shù)的發(fā)展主流是什么?

隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。

但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。

提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現(xiàn)在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。

隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)面臨一個(gè)從未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

在LED芯片制作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是后面的散晶，此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試，對(duì)于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理，這些晶圓片是不能直接用來做LED方片，也就不做任何分檢了，直接賣給客戶了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西，如方片)。

LED制作流程分為兩大部分。

首先在襯低上制作氮化家(GaN)基的外延片，這個(gè)過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。

準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。

通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。

MOCVD外延爐是制作LED外延片蕞常用的設(shè)備。

LED模組就是把LED（發(fā)光二極管）按一定規(guī)則排列在一起再封裝起來，加上一些防水處理組成的產(chǎn)品。就是LED模組。

按密封性又可以分為防水和不防水兩種。防水和不防水的模組主要是看應(yīng)用環(huán)境來區(qū)分的，一般防水的LED模組可以運(yùn)用于戶外照明和宣傳使用，它不會(huì)因?yàn)檫M(jìn)水而發(fā)生問題，更適合惡劣的環(huán)境應(yīng)用，而不防水模組則主要是室內(nèi)用的比較多。

按照LED的形狀LED模組分為：直插式LED模組，食人魚LED模組，貼片LED模組。