梅州PMMA面板廠家玻璃鏡片

蝕刻過程中應注意的問題

1. 減少側蝕和突沿﹐提高蝕刻系數

側蝕會產生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時間越長, 側蝕的情況越嚴重。 側蝕將嚴 重影響印制導線的精度﹐ 嚴重的側蝕將不可能制作精細導線。 當側蝕和突沿降低時﹐蝕刻 系數就會升高﹐高蝕刻系數表示有保持細導線的能力﹐使蝕刻后的導線能接近原圖尺寸。因此,使用新鮮溶液與蝕刻表面相互作用﹐其主要目的有兩個﹕沖掉剛產生的銅離子及不斷為進行反應供應所需要的氨（NH3）。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時都會造成導線短路。

因 為突沿容易撕裂下來﹐在導線的兩點之間形成電的拆接。 影響側蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數可達到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴重側蝕。2、加大了噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度，無論在蝕刻效果、速度和改善操作者的環境及方便程度，都優于潑濺式蝕刻。 提高蝕刻質量與加快蝕刻速率有很大的關系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時間越短﹐側蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。

氯化銨含量的影響 通過蝕刻再生的化學反應可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1 的再生需要有過量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL, 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1 得不到再生﹐蝕刻速率就會降低 ﹐以至失去蝕刻能力。 所以﹐氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。 隨著蝕刻的進行﹐要不 斷補加氯化銨。 但是﹐溶液中 CL 含量過高會引起抗蝕層被浸蝕。4、正式蝕刻把堅好膜并在不和貼上了防腐保護膜的那兩塊不銹鋼板放在入料口的適宜方位，按下蝕刻開關，蝕刻機就開端對不銹鋼板進行蝕刻，3分鐘后，咱們就在出料口看到了的這兩塊不銹鋼板，細心檢查一下，像這樣就達到了咱們懇求的蝕刻作用。 一般蝕刻液中 NH4CL 含 量應在 150g/L 左右。

條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產生的無意留下的掩膜。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時光刻膠產生的燃燒和折皺。它可以是保留圖文，將圖文以外的區域蝕刻成下凹，稱為陽文蝕刻，或反蝕刻。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結構橫截面深度和寬度的比率。