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發(fā)布時間:2021-08-04 21:53  
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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上,電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此,在二者接觸后,電子會從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散,從而使金屬帶上負(fù)電荷,半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體,負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說,失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子,則分布在較大的厚度之中。
為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢壘的退化問題,ASEMI通過退火處理,形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘,從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。
ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片,產(chǎn)品系列通過歐盟rosh以及美國ul認(rèn)證,銷售覆蓋全球。



ASEMI肖特基二極管與普通二極管之間有什么區(qū)別?
肖特基二極管(Schottky)的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。
在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。
另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏電流稍大些。比較適用大電流低電壓場合。
在高電壓整流電路應(yīng)用時,還是應(yīng)該選用普通PN結(jié)整流二極管。希望ASEMI可以幫助你!