NR9 3000PY光刻膠價格承諾守信【賽米萊德】

光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作。生產光刻膠的原料包括光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。

光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。在前烘過程中，由于溶劑揮發，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

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四、前烘（Soft Bake）

完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。

在液態的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態的光刻膠已經成為固態的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。光刻膠的重要性在北京化工大學理學院院長聶俊眼里，我國雖然已成為世界半導體生產大國，但面板產業整體產業鏈仍較為落后。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。

在前烘過程中，由于溶劑揮發，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。

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5,顯影液

在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。