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              真空鍍膜系統價格信息推薦

              發布時間:2020-10-28 15:41  

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              ST系列鍍膜機

              ST系列鍍膜機系我司標準化產品,滿足大部分實驗室科研需求,豐富的可選配置也可響應您的特殊需要。特點:1、集成一體化結構。

              2、極限真空度高,可達7×10-5Pa,可保證更高的鍍膜純凈度,提高鍍膜質量。

              3、從大氣到工作背景真空(7×10-4Pa)時間短,30分鐘左右(充干燥氮氣)。 系統停泵關機12小時后真空度:≤8Pa。

              4、整機采用柜式結構,密封性能好,防塵防水,安全。

              5、磁控、熱蒸發多種鍍膜方式可選。

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              薄膜均勻性概念

              1.厚度上的均勻性,也可以理解為粗糙度,在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位,約為100A),真空鍍膜的均勻性已經相當好,可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內,也就是說對于薄膜的光學特性來說,真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度,也就是說要實現10A甚至1A的表面平整,具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。隨著經濟的發展,普通玻璃已越來越不能滿足人們的要求,而陽光控制膜和低輻射膜正好能彌補了普通玻璃在這一方面的不足。

              2.化學組分上的均勻性: 就是說在薄膜中,化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性,SiTiO3薄膜,如果鍍膜過程不科學,那么實際表面的組分并不是SiTiO3,而可能是其他的比例,鍍的膜并非是想要的膜的化學成分,這也是真空鍍膜的技術含量所在。 具體因素也在下面給出。了解被抽氣體成分,氣體中含不含可凝蒸氣,有無顆粒灰塵,有無腐蝕性等。

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              真空鍍膜技術的應用領域

              在平板顯示器中

              所有各類平板顯示器都要用到各種類型的薄膜,而且,幾乎所有類型的平板顯示器件都需要使用ITO膜,以滿足透明電器的要求。可以毫不夸張的說,沒有薄膜技術,就沒有平板顯示器件。

              在太陽能利用方面

              當需要有效地利用太陽熱能時,就要考慮采用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。由于太陽輻射與熱輻射光譜在波段上有差異,因此,為了有效地利用太陽熱能,就必須考慮采用具有波長選擇特性的吸收面。厚度均勻性主要取決于:1、基片材料與靶材的晶格匹配程度2、基片表面溫度3、蒸發功率,速率4。

              理想的選擇吸收面,是太陽輻射光譜的波段(可見光波段)吸收率(α)為1,在熱輻射波段(紅外波段)輻射率(ε)為0。

              在防偽技術中

              防偽膜種類很多,從使用方法可分為反射式和透射式;從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。

              在飛機防護涂層方面

              飛機的鈦合金緊固件,原來采用電鍍方法鍍鎘。但在鍍鎘中含有氫,所以在飛行過程中,受到大氣、海水的腐蝕,鍍層上容易產生“鎘脆”,甚至引起“空難”。

              1964年,采用離子鍍方法在鈦合金緊固件上鍍鋁,解決了飛機零件的“鎘脆”問題。在離子鍍技術中,由于給工件施加負偏壓,可以形成“偽擴散層”、細化膜層組織,因此,可以顯著提高膜層的耐腐蝕性能。

              在光學儀器中

              人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

              在信息存儲領域中

              薄膜材料作為信息記錄于存儲介質,有其得天獨厚的優勢:

              由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜面平行的雙穩態狀態容易保持等。

              為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。

              在傳感器方面

              在傳感器中,多采用那些電氣性質相對于物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表面、界面的性質,需要盡量增大其面積,且能工業化、低價格制作,因此,采用薄膜的情況很多。

              在集成電路制造中

              晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是制備集成電路的核心技術之一。




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