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發布時間:2021-06-19 06:12  
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四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一樣,比如我們公司生產的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態的,在正常大氣壓下就是氣態的,四氟化碳是有一定毒性的應該不能用作呼吸。產品經除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅,隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。
四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學性質穩定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產業中需求量大。電子四氟化碳是目前半導體行業主要的等離子體蝕刻氣體之一,在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻,以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統為它保駕護航,保證四氟化碳(CF4)的純度和安全穩定使用。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業的主要增長動力。
