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              發布時間:2020-12-30 13:23  

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              ?數字IC是什么?

              數字IC就是傳遞、加工、處理數字信號的IC,是近年來應用廣、發展快的IC品種,可分為通用數字IC和專用數字IC。

              模擬IC則是處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC,模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬IC。如果按技術來分的話,模擬IC可分為只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數字信號的混合IC。

              標準型模擬IC包括放大器,電壓調節與參考對比,信號界面,數據轉換,比較器等產品;特殊應用型模擬IC主要應用在通信、汽車、電腦周邊和消費類電子等四個領域。





              簡單總結一下二者的區別:數字電路IC就是處理數字信號的器件,比如CPU、邏輯電路等;因為模擬IC通常要輸出高電壓或者大電流來驅動其他元件,而CMOS工藝的驅動能力很差。而模擬電路IC是處理和提供模擬信號的器件,比如運算放大器、線性穩壓器、基準電壓源等,它們都屬于模擬IC。模擬IC處理的信號都具有連續性,可以轉換為正弦波研究,而數字IC處理的是非連續性信號,都是脈沖方波。

              不同數字器件有不同的制程, 所以需要不同的供電電壓, 因此更需要電源管理這一模擬技術,隨著數字技術的發展, 模擬技術分布于數字技術周邊, 與數字技術密不可分。


              IC產品的溫馨提示

              提示:濕度總是困擾在電子系統背后的一個難題。不管是在空氣流通的熱帶區域中,還是在潮濕的區域中運輸,潮濕都是顯著增加電子工業開支的原因。由于潮濕敏感性元件使用的增加,諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對這個失效機制的關注也增加了。Filler的插入(padfliier,cellfiller)。基于此原因,電子制造商們必須為預防潛在災難支付高昂的開支。

              吸收到內部的潮氣是半導體封裝問題。當其固定到PCB 板上時,回流焊快速加熱將在內部形成壓力。這種高速膨脹,取決于不同封裝結構材料的熱膨脹系數(CTE)速率不同,可能產生封裝所不能承受的壓力。1、十進制十進制的每一位由0~9十個數碼表示,低位和相鄰高位之間的關系是“逢十進一”。當元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環境下,陷于塑料的表面貼裝元內部的潮濕會產生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。




              常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會延伸到元件表面的內部裂紋等。在一些極端的情況中,裂紋會延伸到元件的表面;嚴重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現在,進行回流焊操作時,在180℃ ~200℃時少量的濕度是可以接受的。然而,在230℃ ~260℃的范圍中的無鉛工藝里,任何濕度的存在都能夠形成足夠導致破壞封裝的小(爆米花狀)或材料分層。在做產品驗證時我們往往會遇到三個問題,驗證什么,如何去驗證,哪里去驗證,這就是what,how,where的問題了。

              必須進行明智的封裝材料選擇、仔細控制的組裝環境和在運輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。實際上國外經常使用裝備有射頻標簽的濕度跟蹤系統、局部控制單元和專用軟件來顯示封裝、測試流水線、運輸/操作及組裝操作中的濕度控制。此外由于工藝技術的限制,模擬電路設計時應盡量少用或不用電阻和電容,特別是高阻值電阻和大容量電容,只有這樣才能提高集成度和降低成本。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試(Temperature Humidity Bias Test )

              目的: 評估IC產品在高溫,高濕,偏壓條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進程測試條件: 85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias


              IC?耐久性測試

              耐久性測試項目(Endurance test items )Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性測試(Endurance Cycling Test )

              目的: 評估非揮發性memory器件在多次讀寫算后的持久性能

              Test Method: 將數據寫入memory的存儲單元,在擦除數據,重復這個過程多次

              測試條件: 室溫,或者更高,每個數據的讀寫次數達到100k~1000k

              具體的測試條件和估算結果可參考以下標準

              MIT-STD-883E Method 1033




              ②數據保持力測試(Data Retention Test)

              目的: 在重復讀寫之后加速非揮發性memory器件存儲節點的電荷損失

              測試條件: 在高溫條件下將數據寫入memory 存儲單元后,多次讀取驗證單元中的數據

              失效機制:150℃

              具體的測試條件和估算結果可參考以下標準:

              MIT-STD-883E Method 1008.2

              在了解上述的IC測試方法之后,IC的設計制造商就需要根據不用IC產品的性能,用途以及需要測試的目的,選擇合適的測試方法,的降低IC測試的時間和成本,從而有效控制IC產品的質量和可靠度。


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